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半导体SEMI E180晶圆加工中关键腔体部件表面金属污染解决方案

发布日期: 2025.07.04

随着半导体技术的发展,对晶圆加工过程中金属污染的控制要求越来越高。SEMI E180标准应运而生,旨在通过规范酸萃取方法,准确测量关键腔室部件表面的金属污染,保障半导体器件的性能和可靠性。


一、测试对象

适用于半导体制造中关键腔室部件(包括但不限于陶瓷环、聚焦环、ESC、Window、内衬)的金属污染检测,通过酸萃取结合ICP-MS等分析手段,可对多种金属元素进行定量分析,为半导体生产过程中的质量控制提供重要依据。


二、测试条件选择

2.1测试对象及预处理条件

测试对象

萃取液

溶液温度

萃取时长

Y₂O₃陶瓷、含钇陶瓷、ABS塑料(AG1000)

0.5wt.%  HNO₃

室温(约23℃)

5min

石英、硅、Al₂O₃、AlN、CVD-SiC块材和 CVD-SiC涂层

3wt.%  HNO₃

室温(约23℃)

5min

等离子喷涂涂层:等离子喷涂含钇陶瓷涂层,等离子喷涂Al₂O₃涂层,等离子喷涂Si 涂层

0.25wt.% HNO₃

室温(约23℃)

5min

铝,不锈钢,钛,阳极氧化材料和化学镀镍材料

0.14wt.% HNO₃

室温(约23℃)

5min

2.2萃取方式及测试设备

萃取方式

测试设备


局部萃取

ICPMS/ICPMSMS

使用微型移液器将1mL~3mL稀释的硝酸放在零部件表面进行萃取,萃取液体积取决于零部件尺寸和几何形状。

全浸泡

ICPMS/ICPMSMS

把零部件样品整体浸泡在稀释的硝酸中,萃取液体积取决于零部件的表面积。


三、检测案例

测试背景:

验证关键腔体用SUS316L不锈钢部件表面金属污染情况

测试方法:SEMI E180 

测试条件:0.14wt.% HNO₃

浸泡温度:23℃

浸泡时间:5min

浸泡方式:全浸泡

测试仪器:ICP-MS

测试结果:

测试元素

方法检出限

测试结果

单位

铝(Al)

10

159

1010 atoms/cm²

钙(Ca)

30

130

1010 atoms/cm²

铬(Cr)

10

119

1010 atoms/cm²

铜(Cu)

5

325

1010 atoms/cm²

铁(Fe)

5

25865

1010 atoms/cm²

钾(K)

5

30

1010 atoms/cm²

镁(Mg)

30

ND

1010 atoms/cm²

锰(Mn)

10

565

1010 atoms/cm²

钠(Na)

10

1200

1010 atoms/cm²

镍(Ni)

5

901

1010 atoms/cm²

铅(Pb)

5

ND

1010 atoms/cm²

锡(Sn)

5

ND

1010atoms/cm²

钛(Ti)

5

52

1010atoms/cm²

锌(Zn)

5

ND

1010 atoms/cm²


四、实验室配置

实验室配置了AAS/GFAAS、GFAAS、ICP-AES、ICP-MS等多套精密检测设备。可以满足SEMI E180测试。

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